[发明专利]一种透明半导体电热薄膜无效
申请号: | 89107751.0 | 申请日: | 1989-10-14 |
公开(公告)号: | CN1051059A | 公开(公告)日: | 1991-05-01 |
发明(设计)人: | 范砚英 | 申请(专利权)人: | 北京华岳电子技术开发公司 |
主分类号: | C23C18/12 | 分类号: | C23C18/12;H05B3/10 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100081*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明是涉及制备一种新型透明半导体电热薄膜的工艺配方及加工方法。本发明是以SbCl3及CdCl2作为SnO2半导体层的掺杂剂,二甘醇丁醚醋酸酯、聚异丁烯、环己酮为粘结剂,以无水乙醇为主要溶剂,进行混合,搅匀。在衬底材料上采用浸涂和烘干的工艺技术,形成半导体薄膜型电热膜。本方法生产的电热薄膜成本低、热效率高、寿命长、透明度高、耐腐蚀、可干烧、可非明火加热,厚度薄而不易破裂。本发明所生产的产品适用于各种电热装置。 | ||
搜索关键词: | 一种 透明 半导体 电热 薄膜 | ||
【主权项】:
1、一种透明半导体电热薄膜,它包括导电膜,衬底和电极,其特征在于生成粘着在衬底表面上的导电膜的原料配方重量百分比为:SnCl2·2H2O25%--30%SbC130.4%--0.5%CdC120.17%--0.34%二甘醇丁醚醋酸酯7%--11%聚异丁烯14.5%--16%环已酮2.8%--5%无水乙醇42%--45%。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
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