[发明专利]一种制造可关断晶闸管的方法无效
| 申请号： | 89108019.8 | 申请日： | 1989-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN1042272A | 公开（公告）日： | 1990-05-16 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·弗拉萨克 | 申请（专利权）人： | 亚瑞亚·勃朗勃威力有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/74 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,曹济洪 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造可关断晶闸管的方法，用该方法，在衬底的阴极表面已扩进或注进施主后，但在扩散进n型发射区(13)前，用腐蚀进衬底(1)的槽(16a，b)将各个单个的晶闸管隔离开来。该工艺避免了P型基区层(10)的厚度的不必要的损失，因此改善了可关断晶闸管的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 可关断 晶闸管 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造可关断晶闸管的方法，在衬底(1)上用槽(16a，b)隔离出许多n型发射区(13)形成一个按n型基区层(11)和p型基区层(10)相叠顺序的多层结构，其特征在于：(a)首先在紧靠p型基区层(10)的整个表面处形成一层含施主的预沉积层(9)；(b)然后将预沉积层(9)用槽(16a，b)刻蚀出许多相互隔离的预沉积区(9a)；(c)最后将预沉积层(9a)中的施主扩散到衬底(1)中去，形成n型发射区(13)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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