[发明专利]借助自发渗透技术制备金属基质复合体的方法无效
| 申请号： | 89108078.3 | 申请日： | 1989-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN1065924C | 公开（公告）日： | 2001-05-16 |
| 发明（设计）人： | 阿兰·斯考特·那格尔堡;米开尔·克沃克·阿哈杰尼 | 申请（专利权）人： | 兰克西敦技术公司 |
| 主分类号： | C22C47/08 | 分类号： | C22C47/08;C04B41/88;B22F3/26;B22D19/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王杰 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及借助自发渗透技术制备金属基质复合体的方法。具体地说，渗透增强剂和／或渗透增强剂前体可被至少部分地放在基质金属与有待熔融基质金属渗透的填料（或预型体）之间或二者之间的边界处。此外，至少在过程中的某一时刻，可使渗透气氛与填料或预型体和／或基质金属相接触。 | ||
| 搜索关键词： | 借助 自发 渗透 技术 制备 金属 基质 复合体 方法 | ||
【主权项】：
1．一种制造金属基质复合体的方法，该方法包括：提供(1)基质金属源，(2)贴近基质金属源的基本上非反应性的填料，(3)将渗透增强剂和渗透增强剂前体中的至少一种供给处于基质金属源与填料之间的至少一部分边界上，(4)允许或者增强基质金属自发渗透并且与填料和基质金属中的至少一种在渗透过程中至少一部分时间内相互接触的渗透气氛，其温度高于基质金属自发渗透至少一部分填料的熔点，其中所述渗透增强剂前体包括至少一种不同于镁的材料。
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