[发明专利]非易失性存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 89108268.9 | 申请日： | 1987-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1030593C | 公开（公告）日： | 1995-12-27 |
| 发明（设计）人： | 凯利帕特纳姆·维维克·罗;吉姆斯·L·佩塔森 | 申请（专利权）人： | 得克萨斯仪器公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L29/788;H01L21/82 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 景星光 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种得到非常平滑的多晶硅1层/层间绝缘层/多晶硅2层的界面，本质上，多晶硅1层18是无定形相的LPCVD的沉积层和用注入掺杂的，这以后沉积一种适当的绝缘层20，接着多晶硅1层18在约1000℃温度下重结晶，然后，用LPCVD沉积多晶硅2层和在950℃温度下掺入POCl3，得到的多晶硅2/层间绝缘层/多晶硅1界面是一种原子范围的非常平滑的界面，甚至在其它器件制造的热循环以后也是如此，并且相信将导至优良的漏泄特性。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器单元，包括：a.一晶体管沟道区；b.一叠加在所述晶体管沟道区上并与该晶体管沟道区容性耦合的浮置栅；其特征在于：c.一容性耦合到所说浮置栅的控制极通过一绝缘层容性耦合到所说的浮置栅时，该绝缘层具有垂直于所说的界面的最大局部偏差为其层厚度的10％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
