[发明专利]用于隐埋异质结激光器的伴生高阻层生长方法无效
| 申请号： | 89108327.8 | 申请日： | 1989-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN1025137C | 公开（公告）日： | 1994-06-22 |
| 发明（设计）人： | 胡礼中;刘式墉 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01S3/19 | 分类号： | H01S3/19;H01L33/00 |
| 代理公司： | 吉林大学专利事务所 | 代理人： | 崔丽娟 |
| 地址： | 吉林省*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明为一种制作GaAlAs隐埋异质结激光器的简单实用方法。本发明利用液相外延中的伴生现象获得一伴生高阻层来有效地限制器件的侧向电流从而使器件的制作工艺简化、工作速度提高。其优点在于方法简单、容易实现、重复性好，适用于制作光电集成器件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 隐埋异质结 激光器 伴生 高阻层 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于GaAlAs隐埋异质结激光器的伴生高阻层生长方法，用在二次液相外延生长中，仅需一槽源液且使之在晶片上只经过一次便可同时生成两个晶体层，其中下层为伴生高阻层，具有良好的侧向电流限制作用。本发明的特征在于：(1)陪片(GaAs衬底片)和正片(台条刻蚀后的外延片)分别装入简单水平滑动石墨舟片托上的一、三两个槽中(顺源槽推动方向)，两片之间有一个槽间距的空格。(2)生长源液装在多槽滑动室的第二个源槽中(逆源槽推动方向)，其前空一个加盖源槽。(3)在炉温降至811℃，805℃和800℃这三个温度点上将生长源液依次推至陪片、空格和正片上，正片的生长时间为10～12分钟。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉林大学，未经吉林大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/89108327.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：涡街式流量计的检测方法
- 下一篇：相转移催化法生产聚羟基醚树脂的工艺
