[发明专利]读/写薄膜磁头及其制造方法无效
| 申请号： | 89109168.8 | 申请日： | 1989-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN1018591B | 公开（公告）日： | 1992-10-07 |
| 发明（设计）人： | 马克·朱里什;斯科特·丹尼尔·多宾斯 | 申请（专利权）人： | 海门科技国际公司 |
| 主分类号： | G11B5/31 | 分类号： | G11B5/31 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,曹济洪 |
| 地址： | 英属西*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种读/写薄膜磁头(10)，包括一衬底(12)；一薄膜磁芯(14)，由所述衬底支撑着，包括一读/写间隙(24)，供读写信息之用；一隔离层(36)，供隔离衬底(12)与磁芯(14)之用；和一线圈(32，34)，装在磁芯中，且通过磁芯延伸，有一个导电柱(40)将衬底(12)电连接到磁芯(14)上。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 磁头 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种读/写薄膜磁头(10)包括：一衬底(12)；一隔离层(36)置放在所说衬底上；一薄膜磁芯(14)，它具有置放在所说隔离层上的第一磁性层(50)、涂覆在所说第一层上的第二磁性层及一线圈(32，34)，所说第一和第二磁性层在第一区的通路(30)中电性连接而在第二区被隔离开，但线圈(32，34)则在第二区置位，该第一和第二磁性层在第三区隔离开以形成读出和写入信息的读/写间隙(24)，其特征在于导电柱从衬底和该磁芯之间隔离开并在其间延伸，以将衬底电连接到磁芯。
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