[发明专利]晶片中的挠性构件及其制造方法无效
| 申请号： | 90101025.1 | 申请日： | 1990-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1054483A | 公开（公告）日： | 1991-09-11 |
| 发明（设计）人： | 杰姆斯·R·伍德罗夫 | 申请（专利权）人： | 森德斯特兰德数据控制公司 |
| 主分类号： | G01D5/00 | 分类号： | G01D5/00;G01P15/02;C30B33/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 蔡民军 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于加速计之类微力学量传感器中的挠性构件及其制造方法，在传感器中第一部件(124)枢轴式地连接到第二部件(126)上。一方面，本发明提供连接第一和第二部件的第一和第二挠性构件(108，118)，使得能够围绕共同枢轴(128)转动。挠性构件具有一个增大稳定性的交叉式构造。每个挠性构件是通过在晶片的相对表面中蚀刻沟槽(100，102，110，112)来制成的，选择沟槽的位置和深度，使得在沟槽之间形成挠性构件。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 中的 构件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、在一种由具有上下表面(64，66，142，146)的晶片(62)制造的传感器中，传感器包括一个枢轴式地连接到第二部件(126，132)上的第一部件(124，130)，传感器的改进包括将第一部件连接到第二部件上的第一和第二挠性构件(108，118)，该挠性构件使第二部件能够围绕一个共同的枢轴(128)相对于第一部件转动，第一挠性构件在一个对晶片上表面比对晶片下表面更接近的位置上连接第一部件，并在一个对晶片下表面比对晶片上表面更接近的位置上连接第二部件，第二挠性构件在一个对晶片下表面比对晶片上表面更接近的位置上连接第一部件，并在一个对晶片上表面比对晶片下表面更接近的位置上连接第二部件。
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