[发明专利]真空断路器的触点成型材料无效
| 申请号： | 90101112.6 | 申请日： | 1990-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN1019430B | 公开（公告）日： | 1992-12-09 |
| 发明（设计）人： | 奥富功;大川幹夫;山本敦史;关经世;佐藤能也;本间三孝;千叶诚司;关口薰旦 | 申请（专利权）人： | 东芝株式会社 |
| 主分类号： | H01H33/66 | 分类号： | H01H33/66;H01H1/04;C22C9/00 |
| 代理公司： | 上海专利事务所 | 代理人： | 张恒康 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于真空断续器的触点成型材料包括重量在25％至65％的含有Ag和Cu的高导电成分，以及选自含有Ti，V，Cr，Zr，Mo，W及其碳化物和硼化物以及它们的混合物的物质组的重量为35％到75％的耐电弧成分，其中高导电成分包括(1)由厚度或宽度不超过5微米的第一不连续相和围绕第一不连续相的第一基体组成的第一高导电区和(2)由厚度或宽度至少为5微米的第二不连续相和围绕着第二不连续相的第二基体组成的第二高导电成分区。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 断路器 触点 成型 材料 | ||
【主权项】：
1.一种用于真空断路器的触点成型材料，具有一包括Cu的高导电成分和一耐电弧成分，其特征在于：重量在25％至65％的含有Ag和Cu的高导电成分；以及选自含有Ti，V，Cr，Zr，Mo，W及它们的碳化物和硼化物以及它们的混合物的物质组的重量在35％至75％的所述耐电弧成分；所述的高导电成分包括(1)由厚度或宽度不超过5微米和第一不连续相和围绕第一不连续相的第一基体组成的第一高导电成分区，和(2)由厚度或宽度至少为5微米的第二不连续相和围绕第二不连续相的第二基体组成的第二高导电成分区，其中所述的在第一高导电成分区的第一不连续相以不超过5微米的间隙在所述的第一基体中精细而均匀地扩散，其中的相对于总高导电成分的第二高导电成分区的数量在10％至60％的重量百分比范围内；
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