[发明专利]增强塑料封壳对含铜引线底板的附着力的方法无效
| 申请号： | 90101283.1 | 申请日： | 1990-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN1047939A | 公开（公告）日： | 1990-12-19 |
| 发明（设计）人： | 基思·戈登·斯帕尼尔;德维恩·利奥·弗劳尔斯 | 申请（专利权）人： | 莫托罗拉公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/56 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 刘建国 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过将引线底板在低于其退火温度的温度下(如室温到100℃)暴露于活性氧环境(如10-30％的H2O2)几分钟。增强了塑料封壳对含有相当大量的铜的引线底板的附着。没有必要去除原有的氧化物。事先的除油步骤是可取的但并非必须，这种处理增强了引线底板上所有的原有氧化物，而又不会产生厚得足以影响后续的电子元件或连接导线在引线底板上的连接。由从-65到150℃的温度循环变化所致的引线底板与塑料封壳之间的脱层显著减少。 | ||
| 搜索关键词： | 增强塑料 引线 底板 附着力 方法 | ||
【主权项】：
1、一种减少塑封电气元件脱层的方法，其特征在于：提供一个带有用于外部连接的第一部分和承载电气元件的第二部分的引线底板，其中第二部分的某些部分有裸露的铜和裸露的镍；将该引线底板在低于其退火温度的温度下暴露于一种液体或等离子体氧化剂中，以在一次操作中间同时氧化裸露的铜并清洁裸露的镍；以及然后将引线底板第二部分的那些部分封装在塑料封壳内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
