[发明专利]液晶器件基片的制备方法无效
| 申请号： | 90102570.4 | 申请日： | 1987-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN1015940B | 公开（公告）日： | 1992-03-18 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;间濑晃;坂寄宽幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G02F1/13 | 分类号： | G02F1/13;G02F1/1343 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种液晶器件基片的制备方法。该液晶器件包括一对基片，在二基片的内侧面上有多个电极条形成一矩阵。在接近基片的外周缘部分对显示器的象素无用的地方也形成电极条。借助于这些多余的电极条可以无须对基片特别注意而把它们连接起来。该方法是用待制成电极条的导电薄膜涂敷一基片，再用准分子激光器的激光来照射以形成多个电极条而完成的。 | ||
| 搜索关键词： | 液晶 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备用于液晶器件的基片的方法，包括下列步骤：用导电薄膜涂敷一基片；以及用由准分子激光器(eximerlaser)发射的激光束照射所述导电薄膜，使其形成多个电极条图形，其中在所述激光束的通路上设有一掩模。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/90102570.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
