[发明专利]高抗辐照氟化钡晶体的生长技术无效
| 申请号： | 90102828.2 | 申请日： | 1990-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1023240C | 公开（公告）日： | 1993-12-22 |
| 发明（设计）人： | 沈定中;殷之文;苏伟堂;潘志雷 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B11/02 |
| 代理公司： | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人： | 聂淑仪 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明给出在氧化气氛炉中生长高抗辐照氟化钡闪烁晶体的新技术。本发明的核心是防止和消除在氧化气氛下可能出现的氧化污染和水解。主要技术有制备氧离子高度净化的高纯BaF2原料；防止水解和氧化作用的各项技术；如何使用生长氧化物单晶的引下炉和铂坩埚于氟化物晶体等。本发明由于无需掺入Pb等有害杂质，所以制备的晶体抗辐照能力强。并且投资省、成本低，宜于大批量生产大尺寸优质BaF2闪烁晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 辐照 氟化钡 晶体 生长 技术 | ||
【主权项】：
1、一种高抗辐照氟化钡(BaF2)闪烁晶体的生长技术，采用如下生长步骤：(1)原料制备(2)铂坩埚制作与生长炉准备(3)晶体生长，按下列条件：A.熔料：高出熔点约50℃，B.温度梯度：20-30℃/mmC.生长速率：0.8-1.6mm/小时D.降温速率：20-30℃/小时其特征在于：(1)采用非真空的坩埚下降法(2)采用以下生长技术：A.原料制备：a.用高纯钡盐和氢氟酸制备高纯BaF2原料，杂质含量达10-6级；b.在140℃下脱水；c.制备料锭：在氟塑料密封模具中，用静水压压制成锭。B.铂坩埚制作与生长炉准备a.铂金坩埚壁厚0.1-0.3mm；b.氧气氛下降法生长炉，硅钼棒为发热元件；c.炉底有辅助加热器。C.晶体生长装料：料锭装入铂坩埚后，充入惰性气体或含氟气体，焊封坩埚。
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