[发明专利]非晶硅光电池片及其制造法无效
| 申请号： | 90104410.5 | 申请日： | 1990-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN1051824A | 公开（公告）日： | 1991-05-29 |
| 发明（设计）人： | 周庆明 | 申请（专利权）人： | 周庆明 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/20 |
| 代理公司： | 哈尔滨市专利事务所 | 代理人： | 李华 |
| 地址： | 150049 黑龙江省哈尔滨*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明非晶硅光电池片及其制造法，特别涉及一种外联式集成小型片光电池及应用激光技术的制造方法。其产品特征在于光电池片的每个单元电池的透明导电膜图形是相同的，目的在于使用激光法制取透明导电膜集成图形。其方法特征在于将先进的激光切割技术应用于透明导电膜和非晶硅层集成图形加工以代替工艺复杂的光刻法和掩膜法。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶硅 光电池 及其 制造 | ||
【主权项】：
1、由玻璃基底、透明导电膜、非晶硅层、铝膜背电极构成的外联集成小型非晶硅光电池片，其特征在于每个单元光电池片基底与非晶硅层之间的透明导电膜的形状相同，是在标准矩形膜的一角有一“L”型沟道，构成一个小的矩形，与原标准矩形之间有沟道相隔；
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
