[发明专利]用自生真空工艺制造大复合体的方法无效

专利信息
申请号: 90104633.7 申请日: 1990-07-16
公开(公告)号: CN1033046C 公开(公告)日: 1996-10-16
发明(设计)人: 罗伯特·坎贝尔·坎特;拉特尼师·库玛·德维瓦迪 申请(专利权)人: 兰克西敦技术公司
主分类号: C22C1/09 分类号: C22C1/09;B22F3/26;B22D19/14
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 吴大建
地址: 美国特*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种制造大复合体的新工艺,其中基体金属与放置在附近的合适填料或预型接触,或者与至少一种第二种材料接触,在工艺中至少某点,反应气氛和熔融基体金属和/或填料或预型和/或不渗透容器之间发生反应。熔融基体金属渗透入填料或预型,使得仍然基体金属与至少一种第二种材料的至少部分接触。将基体金属冷却至其熔点之下,形成金属基体复合体,由固结在至少一种第二种材料的至少一部分上的金属基体复合体所组成。
搜索关键词: 自生 真空 工艺 制造 复合体 方法
【主权项】:
1.制造大复合体的方法,其步骤包括:形成反应体系,其中包括选自铝、青铜、铜和铸铁的基体金属,选自空气和氮气的反应性气氛,不渗透容器,选自陶瓷或陶瓷涂布的填料的渗透物质,以及与所说渗透物质邻接的至少一种选自陶瓷体、陶瓷基体复合体、金属体、金属基体复合体及它们的组合物的第二种或附加物体;至少部分密封反应体系以使其与外界的周围气氛之间形成净压差,由外加密封层、内部物理密封层和内部化学密封层中的至少一种达到所说的密封;以及加热密封后的反应体系以使基体金属熔融,并使该熔融基体金属至少部分渗流过所说至少一种陶瓷或陶瓷涂布的填料的渗透物质,形成金属基复合体,该复合体整体联结或固结在所说至少一种第二种或附加物体上,从而形成大复合体。
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