[发明专利]一种金属-半导体场效应晶体管无效
| 申请号： | 90104646.9 | 申请日： | 1990-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN1014755B | 公开（公告）日： | 1991-11-13 |
| 发明（设计）人： | 刘训春;王润梅;叶甜春;曹振亚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子中心 |
| 主分类号： | H01L29/52 | 分类号： | H01L29/52;H01L29/784;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京林业大学专利事务所 | 代理人： | 卢纪 |
| 地址： | 1000*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用侧壁自对准技术制造MESFET的结构，在金属栅电极与漏区相邻一侧的侧壁绝缘膜厚度大于与源区相邻一侧的侧壁绝缘膜厚度，这样的非对称结构能够提高MESFET的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种利用金属栅电极侧壁绝缘膜进行自对准制造MESFET的结构，其特征在于，它以GaAs作基片，其金属栅电极与漏区相邻一侧的侧壁绝缘膜厚度大于它与源区相邻一侧的侧壁绝缘膜厚度。
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