[发明专利]氢敏元件及制造法无效
| 申请号： | 90104738.4 | 申请日： | 1990-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN1018780B | 公开（公告）日： | 1992-10-21 |
| 发明（设计）人： | 穆宝贵;黎丽琳 | 申请（专利权）人： | 穆宝贵;黎丽琳 |
| 主分类号： | H01L49/00 | 分类号： | H01L49/00;G01N27/12 |
| 代理公司： | 哈尔滨市专利事务所 | 代理人： | 吴振刚 |
| 地址： | 150010 黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明氢敏元件及制造方法，其特征在于所述的氢敏元件是一种改质处理金属氧化物半导体气敏元件的敏感膜，形成具有分子筛过滤功能的二氧化硅氢气透过膜的改质型金属氧化物半导体氢敏元件。其制造方法是将按传统工艺制备的包括氢气在内的金属氧化物半导体气敏元件放置于特定的有机硅盐气氛中熏陶，自然生长一定厚度的二氧化硅氢气透过膜。本发明氢敏元件具有对氢气的高选择性和响应性优良效果。 | ||
| 搜索关键词： | 元件 制造 | ||
【主权项】：
1、一种氢敏元件制造方法，在于将常规工艺制作的包括氢气在内的易燃性气体金属半导体氢敏元件在特定的有机硅盐类气氛中熏陶作表面改质处理，在金属氧化物半导体氢敏元件上自然生长一层二氧化硅氢气透过膜，所说的特定气氛是指温度在100-500℃，改质液浓度30-100％的密封气室，成膜后在600～650℃热处理；
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