[发明专利]光生伏特器件及其制造方法无效
| 申请号： | 90104925.5 | 申请日： | 1990-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN1023362C | 公开（公告）日： | 1993-12-29 |
| 发明（设计）人： | 高林明治;米原隆夫 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/036 | 分类号： | H01L31/036;H01L31/06;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 杨晓光 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种光生伏特器件包括一具有被一绝缘层包围着的多个导电表面的基片，设置有覆盖所述那些导电表面的多个单晶层区域的、多个第一光生伏特单元，以及设置有一个覆盖着所述多个第一光生伏特单元的第二光生伏特单元。上述各单晶层区域是彼此隔离设置的。 | ||
| 搜索关键词： | 伏特 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光生伏特器件，包括：一个具有被一绝缘表面包围着的多个相互隔开的导电表面的基片，第一光生伏特单元，具有一个单晶层区域复盖着各导电表面，从而形成多个第一光生伏特单元，所述单晶层区域是彼此隔离设置的，其特征在于：一个复盖着所述多个第一光生伏特单元的第二光生伏特单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
