[发明专利]半导体存储设备无效
| 申请号： | 90106626.5 | 申请日： | 1990-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN1021997C | 公开（公告）日： | 1993-09-01 |
| 发明（设计）人： | 闵东宣;赵秀仁;陈大济 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/02 | 分类号： | G11C7/02;G11C11/40 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 匡少波,黄小鸥 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种高密度存储设备，通常包括多个排连接到多个字线、多个位线、和译码器。这种存储设备中各毗邻线之间的电容会引起不希望有的耦合干扰，从而将各信号引入歧途。一种旨在解决上述这些问题的存储设备，其存储单元陈列包括多个位线BL、多个字线WL和多个读出放大器SA。各字线每四个一组进行扭曲，使得各线在其整个长度上与其毗邻接线相隔一段距离，且系配置得使各线之间的耦合电容减小。各字线驱动器以这样的方式配置在阵列两边，使得存储设备的布局达到最佳情况。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储设备，包括：多个相互平行延伸的字线，和至少一个扭曲区，所述字线在该区中相互扭曲，把字线分为第一和第二长度部分；其特征在于，至少由四条字线组成的字线组相互扭曲、扭曲方式是使在所述第一长度部分相互毗邻的所述组中的第一和第二条字线，在所述第二长度部分不相互毗邻。
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