[发明专利]在可磁化体上形成磁化区域的装置无效
| 申请号： | 90107446.2 | 申请日： | 1990-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1044942C | 公开（公告）日： | 1999-09-01 |
| 发明（设计）人： | 马克·Ｅ·拉克鲁瓦 | 申请（专利权）人： | 托林顿公司 |
| 主分类号： | H01F13/00 | 分类号： | H01F13/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳,张志醒 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本装置用于制作具有多磁极对的磁铁。在开始的步骤中形成一个或几个磁极对。然后，相对被磁化体移动该装置或相对该装置移动被磁化体形成另外的磁极对。该装置的构造使得在先磁化的可磁化体部分不会因可磁化体中相邻部分的磁化而消磁或有显著的改变。 | ||
| 搜索关键词： | 磁化 形成 区域 装置 | ||
【主权项】：
1．一种在可磁化体形成一系列磁化区域的装置，包括：一个充磁导体；一个电流脉冲源，将电流脉冲通过所述充磁导体以产生一个磁场；其特征在于：两个磁场阻尼装置，其每一个为相对充磁导体在异侧方向上等距离布置的第二电导体，后者的定位能使由流过充磁导体的脉冲产生的磁场在靠近所述磁场阻尼装置处受到阻尼，从而使流过充磁导体的电流脉冲产生一个磁场，该磁场将穿过靠近充磁导体的那部分可磁化体，并基本上不穿过靠近阻尼装置的那部分可磁化体。
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