[发明专利]晶片形式的α－氧化铝大结晶体及其制法无效
| 申请号： | 90107756.9 | 申请日： | 1990-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN1047576C | 公开（公告）日： | 1999-12-22 |
| 发明（设计）人： | 安尼克·福尔;罗兰德·巴舍拉尔 | 申请（专利权）人： | 阿托化学公司 |
| 主分类号： | C01F7/02 | 分类号： | C01F7/02;C01F7/30;C04B35/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 于燕生,杨厚昌 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的是单晶六角形晶片形式的α－氧化铝大结晶体。$本发明还关于通过在一种含氟熔剂的存在下，于相对较低的温度下将氧化铝，例如过渡氧化铝煅烧制造这些大结晶体的方法。$α－氧化铝大结晶体可以用作增强材料。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 形式 氧化铝 结晶体 及其 制法 | ||
【主权项】：
1．由过渡氧化铝或水合氧化铝和一种助熔剂制备基本上呈单晶六角形片晶形式的α-氧化铝大结晶体的方法，其中该片晶具有直径为2至20μm，厚度为0.1-2μm和直径/厚度比为5至40，该方法的特征在于使用其熔点最高达到800℃和含有化学键合的氟以及能在熔融状态下溶解过渡氧化铝或水合氧化铝的助熔剂，并在该助熔剂存在下在900-1200℃对过渡氧化铝或水合氧化铝进行煅烧。
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