[发明专利]各向异性腐蚀硅片的改进方法与硅片腐蚀溶液无效
申请号: | 90108439.5 | 申请日: | 1990-09-26 |
公开(公告)号: | CN1024148C | 公开(公告)日: | 1994-04-06 |
发明(设计)人: | 拉里·威尔伯·奥斯丁;哈罗德·乔治·林德 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | C23F1/24 | 分类号: | C23F1/24;H01L21/306 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 乔晓东 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种各向异性腐蚀(100)硅片晶面的改进方法,它包括将其硅晶片浸渍在腐蚀溶液中,其腐蚀溶液含有一种芳族化合物,该芳族化合物苯环上具有至少两个相临的羟基和一个极性官能团,一种胺和水。达到了高质量的腐蚀,其速率高得多。 | ||
搜索关键词: | 各向异性 腐蚀 硅片 改进 方法 溶液 | ||
【主权项】:
1.一种腐蚀硅的方法,其特征在于,所述的硅与腐蚀溶液接触,其腐蚀溶液含有4-6摩尔%的在苯环上至少有两个相邻的羟基和一个极性官能团的芳族化合物、39-56摩尔%的胺和57-38摩尔%的水。
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