[发明专利]BICMOS电路中的MOS逻辑电路无效

专利信息
申请号: 90108612.6 申请日: 1990-10-24
公开(公告)号: CN1051277A 公开(公告)日: 1991-05-08
发明(设计)人: 鲁道夫·克伯里茨;库诺·莱恩斯;菲利蒲·拉尼考尔 申请(专利权)人: 德国索姆森-布兰特有限公司
主分类号: H03K19/094 分类号: H03K19/094;H01L27/06
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人: 邹光新
地址: 联邦德国菲林*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 与双极(开关)电路中的I2L逻辑电路相比,BICMOS(开关)电路中的CMOS逻辑电路需要相对多的晶体管。由于采用改进的类似于I2L(CWL逻辑电路)的MOS门电路,MOS逻辑电路所需的空间显著减小,而已知的对干扰电压的敏感程度却不变。由于使逻辑电路的响应速度变慢,所以芯片上毗邻的模拟电路之间的扩散干扰变小。
搜索关键词: bicmos 电路 中的 mos 逻辑电路
【主权项】:
1.在集成BICMOS(开关)电路中的MOS逻辑电路,其特征在于MOS逻辑门电路(图1至图3)的构成与I2L(图1)相类似。
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