[发明专利]漂移型非晶硅光电阴极无效
| 申请号： | 90109222.3 | 申请日： | 1990-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN1024234C | 公开（公告）日： | 1994-04-13 |
| 发明（设计）人： | 海宇涵;陈远星;臧宝翠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | H01J1/34 | 分类号： | H01J1/34;H01J40/16 |
| 代理公司： | 中国科学院专利事务所 | 代理人： | 戎志敏 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 漂移型非晶硅光电阴极是在基片1上涂复透明导电膜2，在透明导电膜2上沉积n型和p型非晶硅膜，在P型非晶硅膜4上蒸涂铝或银膜，在铝或银膜5上复盖铯氧敏化层。本发明量子效率容易超过扩散型非晶硅光电阻极两个数量级，可用在光电倍增管，象增强管等光电器件中。 | ||
| 搜索关键词： | 漂移 型非晶硅 光电 阴极 | ||
【主权项】：
1.漂移型非晶硅光电阴极，有基片(1)和铯-氧敏化层(6)，其特征是在基片(1)上涂复透明导电膜(2)，在透明导电膜上沉积n型和p型非晶硅膜(3)和(4)，在P型非晶硅膜(4)上蒸涂铝或银膜(5)，在铝或银膜(5)上复盖铯一氧敏化层(6)。
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