[发明专利]高性能α相碳化硅晶须的制造方法在审

专利信息
申请号: 90110010.2 申请日: 1990-12-29
公开(公告)号: CN1053271A 公开(公告)日: 1991-07-24
发明(设计)人: 李建保;黄勇;王林;陈少荣;吴建光;彭刚 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: C30B29/36 分类号: C30B29/36;C30B29/62;C04B35/80
代理公司: 清华大学专利事务所 代理人: 罗文群
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及2H相碳化硅(分子式为SiC)晶须的制造方法,这是一种碳化硅的单晶体的、短纤维状的无机材料,主要用于高温陶瓷的增强增韧剂,也可用于补强金属和塑料,属于以陶瓷为主的复合材料领域、本发明用含硅化合物为原料,将原料混合物放在石墨坩埚容器内,加热至一定温度,高温下含硅化合物分解产物和石墨蒸发产物于保护气氛中,在生长容器上化合、堆积从而形成2H相碳化硅晶须。用这种晶须增韧的陶瓷,将具有更高的断裂韧性和强度以及高的耐磨性能,可做切削刀具,以及作为陶瓷发动机及其它机械零部件。
搜索关键词: 性能 碳化硅 制造 方法
【主权项】:
1、一种高性能2H相碳化硅晶须的制造方法,其特征在于用含硅化合物为原料,将原料放入石墨坩埚容器内,加热至一定温度,高温下含硅化合物分解产物和石墨蒸发产物在保护气氛中形成2H相碳化硅晶须。
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