[实用新型]光CVD设备无效
| 申请号： | 90203160.0 | 申请日： | 1990-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN2070037U | 公开（公告）日： | 1991-01-23 |
| 发明（设计）人： | 孙建成 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/205;C23C16/00 |
| 代理公司： | 陕西省发明专利服务中心 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体器件生产的专用设备。该设备分为局部净化室和电气控制柜两大部分，其中局部净化室包括光化学反应室，循环净化系统，升降传动机构，光源电源箱。电气控制柜包括MIC-100型微机，温控仪，质量流量控制器，浮子流量计，气路显示板，增压泵机组，高效过滤器，高效粒子扑集器，混合器，冷阱，防腐真空电磁阀，气体管路及总电源等部分。具有淀积温度低，没有高能离子撞击损伤，淀积面积大，操作简单，微机程序控制，节约能源等优点。 | ||
| 搜索关键词： | cvd 设备 | ||
【主权项】：
1、一种光化学气相淀积(光CVD)设备，由净化室和电气控制柜两部分组成，其特征在于净化室包括光反应室，循环净化系统，升降传动机构和光源电源箱；电气控制柜包括微型计算机，温控仪，质量流量控制器，浮子流量计，气路显示板，增压泵机组，高效过滤器，高效粒子扑集器，混合器，冷阱，防腐真空电磁阀，气体管路及总电源箱。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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