[发明专利]掺铒掺镁铌酸锂单晶的制备无效
| 申请号： | 91100010.0 | 申请日： | 1991-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN1018852B | 公开（公告）日： | 1992-10-28 |
| 发明（设计）人： | 李宝凌;李文润;万良风 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B15/00 |
| 代理公司： | 天津大学专利代理事务所 | 代理人： | 曲远方 |
| 地址： | 300072 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种掺铒掺镁铌酸锂单晶体的制备方法。本发明的方法是采用99.9％的高纯Nb2O5、Li2CO3、MgO、Er2O3为原料制成纯化的铌酸锂晶体，再配入0.2～5mol％的Er2O3及0～3mol％的MgO，放入铂坩埚中，在具有等径自动控制的单晶炉中经二次提拉制成本发明的晶体。该晶体具有光致折射率变化效应非常小可忽略。该材料制成波导激光器发射的激光波长为1.51～1.60μm，与光纤通讯所用波长符合，可用于光纤通讯的振荡器和放大器等。 | ||
| 搜索关键词： | 掺铒掺镁铌酸锂单晶 制备 | ||
【主权项】：
1、一种制备掺杂铌酸锂晶体的方法，包括拉晶、退火、极化处理，其中拉晶时将Nb2O5和Li2CO3按Li/NB＝1∶1或同成分配比Li/Nb＝48.6∶51.4配料，经充分混合及预烧后装入铂埚拉成LN晶体，其特征在于将拉制后的晶体经1150℃/5hr退火后，截去底部含较多不纯物部分，掺入4NMgO0-3mol％和Er2O30.2-5mol％，混合后置于自动等径单晶炉中二次提拉。
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