[发明专利]含有基座的半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 91101110.2 | 申请日： | 1991-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN1024731C | 公开（公告）日： | 1994-05-25 |
| 发明（设计）人： | 约翰内斯·M·C·弗尔斯皮克;亨里卡斯·A·L·拉尔霍芬;彼得·W·M·范迪沃特;扬·范米登多普 | 申请（专利权）人： | 菲利浦光灯制造公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,曹济洪 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种包含配置一沟槽(2)的基座(1)的半导体器件，在沟槽壁(3)和(4)上设有延伸到基座(1)上的导体(6)和(7)，该基座在沟槽内还配置半导体元件(11)，它与沟槽壁上的导体形成电接触。根据本发明半导体元件(11)被夹固在沟槽(2)内，以此与沟槽壁(3)和(4)上的导体(6)和(7)形成电接触。由于半导体元件紧夹在沟槽壁(3)和(4)上的导体(6)和(7)之间而被夹持住，这就达到了用单一工艺步骤以简单的方法实现了半导体元件(11)和基座(1)之间的机械的和电的连接。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 基座 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种含有基座的半导体器件，该基座配置一沟槽，在沟槽壁上设有导体，其导体还延伸到基座棒上，该基座在沟槽内还配置一半导体元件，它与沟槽壁形成电接触，其特征在于：半导体元件是被夹固在沟槽内的，而且与沟槽壁上的导体形成电接触。
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