[发明专利]制造单晶硅的装置无效
| 申请号： | 91102343.7 | 申请日： | 1991-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN1055965A | 公开（公告）日： | 1991-11-06 |
| 发明（设计）人： | 神尾宽;荒木健治;岛芳延;钤木真;兼头武;中滨泰光;钤木威;藤林晃夫 | 申请（专利权）人： | 日本钢管株式会社 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 杨丽琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种利用切克劳斯基单晶生长法的大直径单晶制造装置，在保温罩上部设置适当的开口，防止气体介质产生不良影响。开口总面积大于保温罩下端和硅熔液液面之间形成间隙的面积，保温罩和热屏蔽件用金属板构成。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 单晶硅 装置 | ||
【主权项】：
1、一种制造单晶硅的装置，该装置含有内盛硅熔液的转动式石英坩埚，从侧面加热上述石英坩埚的电阻加热体，将上述石英坩埚内熔融的硅分隔成单晶生成部分和原料熔解部分的且带有使熔融液可单方向流动的小孔的石英制隔离件，覆盖前述隔离件和前述原料熔解部分的保温罩，向前述原料熔解部分连续提供硅原料的原料供应装置，以及使炉内压力减至0.1大气压以下的减压装置，其特征在于：所说的保温罩在高于加热体上端的位置设置开口，该开口的总面积大于所说的保温罩下端和硅熔液液面间形成的间隙面积，而且所说的保温罩是由金属板制成的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本钢管株式会社，未经日本钢管株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/91102343.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
