[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 91103577.X | 申请日： | 1991-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN1027946C | 公开（公告）日： | 1995-03-15 |
| 发明（设计）人： | 池田敦;中村佳夫 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/44 | 分类号： | H01L29/44;H01L21/285;H01L21/90 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付康 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于半导体元件直接与半导体元件的半导体区域相连的电极的形状基本上做成方形柱状。当与所说的电极内的半导体区域相接触的表面的一个边的长度定义为L，另一边为W，基本上与所说的表面垂直相交的方向的长度为H时，L、W、H满足L＞H＞W的关系式。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括具有一半导体元件和一主表面的半导体衬底、形成在所述主表面上的绝缘膜和穿过此覆于所述元件上的绝缘膜的接触孔，以及延伸通过所述接触孔与所述元件的贡献电子表面相接触的电极，所述电极还向所述元件提供电流，其特征在于：所述接触孔具有在所述元件上的基本为矩形的开口，而所述电极在一相应的基本为矩形的表面上与所述元件接触，以便在将所述矩形表面的长度定义的L、宽度定义为W，而与所述矩形表面垂直的所述电极的高度为H时，L，W和H满足关系式：L＞H＞W其中，L为“栅宽”或“沿所述半导体元件的PN结长度方向的长度”。
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