[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

一种制造包括双极晶体管的半导体器件的方法，其步骤为形成第一导电型的第一半导体区，在第一区上形成第一导电型的第二半导体区，在第二区上形成第二导电型的第三半导体区，在第三区上形成第一导电型半导体的第四区，在第二区域内形成一个槽，在第三和第四区内形成接触孔，在槽内和第三及第四区的接触孔内分别形成在集、基和发射电极，在相应步骤中槽和接触孔分别被充满金属材料。

主权项

1.一种制造包括双极晶体管的半导体器件的方法，其特征在于，该方法包括的步骤为：形成第一导电型的第一半导体区(3)，在第一区上形成第一导电型的第二半导体区(4)，以使得第一和第二区形成一个收集区，第二区具有电阻率比第一区要高，在第二区上形成第二导电型的第三半导体区(6)，以限定一个基区，在第三区上形成第一导电型的第四半导体区(7)，以限定一个发射区，在第二区内形成一个槽(20)，以暴露第一区的一部分，在第三和第四区内形成接触孔(21，22)，该接触孔的深度比槽(20)的深度小，通过具有第一工艺步骤的选择淀积工艺及隔离和后续的步骤在槽内和第三及第四区的接触孔内分别形成收集电极、基电极和发射电极，其第一工艺步骤中只有槽被充满金属材料(20)，且在隔离和后续的步骤中接触孔(21，22)被充满金属材料。