[发明专利]金属薄膜形成方法无效
| 申请号： | 91104047.1 | 申请日： | 1991-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN1056015C | 公开（公告）日： | 2000-08-30 |
| 发明（设计）人： | 坪内和夫;益一哉 | 申请（专利权）人： | 坪内和夫 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杨晓光 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种金属膜形成的方法包括如下步骤形成一层主要由铝构成的非单晶金属膜，其一部分至少与以铝为主要成分的单晶金属相接触；加热所述非单晶金属膜使其至少一部分变成单晶态。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 薄膜 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.半导体装置的金属薄膜形成法，该方法包括，在半导体基片的主表面上形成绝缘膜的工序，在该绝缘膜上设置开孔部分以使上述半导体表面露出的工序，在上述开孔部分内淀积由以Al作为主要成为的第1金属构成的单晶的工序，在由上述第1金属构成的单晶上和上述绝缘膜上形成以Al作为主要成分的第2金属薄膜的工序，以及加热以第1金属构成的单晶作为籽晶的上述第2金属薄膜，以使其至少一部分单晶化的工序，根据利用甲基氢化铝CVD法在所述开孔内选择性地淀积第一金属构成的单晶，因而整平第一金属构成的单晶表面和所述绝缘膜的工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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