[发明专利]真空断路器的触头成型材料及其制造方法无效
申请号: | 91104551.1 | 申请日: | 1991-06-07 |
公开(公告)号: | CN1024860C | 公开(公告)日: | 1994-06-01 |
发明(设计)人: | 关经世;奥富功;山本敦史;乙部清文;关口薰旦 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01H1/02 | 分类号: | H01H1/02;H01H11/04 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨丽琴 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种真空断路器的触头成形材料,其特征是其中含有重量百分比20%-60%的Cr,占Cu和Bi总重量的0.05%-1.0%的Bi元素,其余部分实质上为Cu,并形成一个触头形状,然后将所加工的材料进行真空热处理,这种真空断路器的触头不仅具有优良的耐熔焊特性,而且具有优良的耐压特性。本发明还涉及该材料的制造方法。 | ||
搜索关键词: | 真空 断路器 成型 材料 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种由Cr-Cr-Bi合金制成的真空断路器的触头成形材料,其特征是:该触头成型材料包含重量百分比为20%-60%的Cr和占Cu与Bi总重量的0.05%-1.0%的Bi元素,其余部分质实上为Cu。
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