[发明专利]自释釉低温陶瓷的制造方法无效
| 申请号： | 91106831.7 | 申请日： | 1991-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN1028017C | 公开（公告）日： | 1995-03-29 |
| 发明（设计）人： | 杨子初;陈海波;谢晓静;冯波 | 申请（专利权）人： | 湖南省陶瓷研究所 |
| 主分类号： | C04B33/24 | 分类号： | C04B33/24 |
| 代理公司： | 湖南省专利服务中心 | 代理人： | 罗建民 |
| 地址： | 41220*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种自釉低温陶瓷的制造方法，其原料采用高岭土、硅灰石、石英、钾长石、煅烧滑石、结合剂，本发明全部采用天然原料，将硅灰石升级使用，生产高档日用瓷和美术瓷，可省去釉料加工及施内、外釉、底釉处理等工序，简化了生产工艺流程，减少陶瓷生产原料加工、成型工作总量50％左右，降低了成品的缺陷率。同时产品具有釉面光洁明亮，丰润饱满，瓷质细腻致密，生产成本较低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 陶瓷 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种自释釉低温陶瓷的制造方法，包括配料、球磨、成型、烧成，其特征在于所用的原料配比(重量百分比)为：高岭土10-25％、硅灰石30-35％、石英40-50％、钾长石4-10％，球磨后各种原料的颗粒级配为：整体细度大于30微米的颗粒＜5％、小于15微米的颗粒＞60％，小于5微米的颗粒＜10％，烧成温度1220-1300℃。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南省陶瓷研究所，未经湖南省陶瓷研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/91106831.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：粘土矿的处理工艺
- 下一篇：复丝喷射膨化变形装置
