[发明专利]碳化硅-氮化硅复相梯度材料的制备无效
| 申请号： | 91107327.2 | 申请日： | 1991-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN1063859A | 公开（公告）日： | 1992-08-26 |
| 发明（设计）人： | 江东亮;佘继红;谭寿洪 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/56 | 分类号： | C04B35/56;C04B35/58;C04B35/64 |
| 代理公司： | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人： | 潘振甦,聂淑仪 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种制备高性能碳化硅-氮化硅复相材料的方法，尤其适合制造复相梯度材料的方法，属于无机非金属材料中的高温结构材料领域。本发明提供的方法原料是碳化硅粉末加入少量1-3wt％Al2O3或少量Al2O3(1-3wt％)粉末与2wt％C，经干压或干压，冷等静压(2T/cm2)后用特殊玻璃包封后在Ar气氛下用HIP方法烧结，使密度为理论密度的93％以上，然后在N2气氛下HIP方法后处理。所得材料密度达3.17g/cm2，室温强度平均为900MPa。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 氮化 硅复相 梯度 材料 制备 | ||
【主权项】：
1、一种制备高性能碳化硅-氮化硅复相梯度材料的方法，其特征在于：(1)SiC粉未加入少量Ai2O3(1-3wt%)或少量Ai2O3(1-3wt%)和2wt%C经干压或干压、冷等静压(2T/cm2)成型后，用特殊玻璃包封(SiO2＞90%)后，在100-200MPa，Ar气氛下，温度为1500-1900℃，保温30-60分钟HIP方法烧结；(2)然后将上述烧结材料在通N2气氛下HIP条件下(压力为100-200MPa)，温度为1500℃-2000℃)后处理。
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