[发明专利]直拉法生长锑化镓单晶的方法和装置

摘要

本发明是双坩埚法直拉ＧａＳｂ单晶的改进，属于从熔体中直拉单晶的双坩埚法，其特征在于在外坩埚上沿有Ｌ形或反Ｌ形槽，内坩埚上装有挂钩，单晶炉机械手上有压板和拨棒，在下降籽晶拉晶前，使内坩埚的挂钩置于外坩埚槽的横槽内，从而使内外坩埚同步旋转，改进了双坩埚法生长单晶的热场分布。本发明的坩埚加工方便易行，生长方法简单、实用、效率高、成本低，能生长大直径、低位错、满足器件需要的单晶ＧａＳｂ衬底材料。

主权项

1、一种直拉法生长锑化镓单晶的方法，包括在单晶炉内装料、加热、锑化镓熔体去渣、及拉晶通常的双坩埚法直拉锑化镓单晶的方法，其特征在于在降下籽晶前：Ⅰ．在Gasb多晶料或元素Ga、Sb料装入外坩埚后，将内坩埚挂在外坩埚上沿，并在机械手上安装好石英盖板和石英拨棒，Ⅱ．当关闭单晶炉门并加热使外坩埚中的原料熔化及均匀化后，用机械手上的石英拨棒将内坩埚上的挂钩拨入外坩的L或反L形槽内，Ⅲ．降下机械手上的石英压板，使内坩埚下沉，熔体通过底部小孔进入内坩埚，Ⅳ．当内坩埚上的挂钩被压到外坩埚域反L形槽的底边时，用石英拨棒将内坩埚挂钩拨入外坩埚L形或反L形槽的横槽内，Ⅴ．提起石英盖板，移开机械手，此外，所述的双坩埚是石英的，内坩埚直径为75毫米，高55毫米；外坩埚直径为90毫米，高100毫米，内坩埚底部小孔直径为6毫米，所述的L型挂钩长边长14毫米，短边长5毫米，外坩埚上部反L形槽宽5毫米，深45毫米，短边长15毫米，所说石英压板长75毫米，宽22毫米。