[发明专利]高硅低碳规则晶粒取向硅钢的生产方法

摘要

本发明涉及一种最终规格为0.35-0.15mm或更薄的高硅低碳规则晶粒取向电工硅钢的生产方法，该方法包括在第一次冷轧阶段之后采取保温时间极短和两步控温冷却周期的中间退火，在脱碳之前，最好还采用一步超快速退火处理。试验结果清楚地表明，本发明所提供的中间退火工艺使铁损得以改善且增大了这些规则晶粒取向材料的二次晶粒生长的稳定性。较好的工艺是除了本发明的中间退火工艺外，采用超快速退火处理，它进一步为磁性再提高作准备。

主权项

1.一种生产厚度为0.35mm-0.15mm或更薄的高硅、低碳规则晶粒取向硅钢的生产方法，其中所说的硅钢主要由(用重量％表示)碳少于0.07％，锰0.025％-0.25％，硫和/或硒0.01％-0.035％，硅3.0％-4.5％，铝小于100ppm，氮小于50ppm，如果需要，可添加硼和(或)铜及余量铁组成，所说的方法包括以下步骤：先提供硅钢的热轧带，冷轧到中间规格，使所说的中间规格材料进行中间退火，将所说的硅钢冷轧到最后规格，在含氢的湿氛围下，于830°～845℃温度下，在足以使碳含量低达0.003％或更低的时间里脱碳退火，用诸如氧化镁的退火隔离剂涂覆所说的脱碳硅钢，使所说的硅钢在1200℃下最终退火24小时，以进行二次再结晶，其特征在于所说的中间规格材料保温温度约900℃-1150℃及保温时间为1秒-30秒下进行中间退火，然后，进行缓冷阶段，以每分钟小于835℃的冷却速度从保温温度冷却到540℃-650℃，再进行快冷阶段，以每分钟大于835℃的冷却速度冷却到315℃-540℃，接着水淬。