[发明专利]半导体存贮器件及其操作方法

摘要

一种半导体存储器件中有许多按阵列形式排列的存储单元，数据能写入存储单元中，并能顺序地读出。每个存储单元有开关元件，该开关元件的一端与阵列比特线连接，另一端与至少一个铁电电容器连接，其控制端与字线连接，当供给一个不足以引起铁电电容器状态变化的电压时，存储单元工作，用来检测铁电电容器的极化变化。此外，铁电电容器和除铁电电容器以外的另一电容器与开关元件连接。在另一种形式中，有许多铁电电容器与开关元件连接，这样，每一个单元中可以写入不同的数据。

主权项

1.一种半导体存贮器件的操作方法，所说半导体存贮器件有至少一个存贮单元，所说的至少一个存贮单元有至少一个铁电电容元件，所说的至少一个铁电电容元件有一个第一端和一个第二端，该第二端连接到一条镀线上，其特征是：所说的至少一个铁电电容元件有第一，第二和另一极化状态，在所说的铁电电容元件上跨接相应的第一，第二和另一电压时，各极化状态之间可以转换；所述第一和第二电压具有足够的量值使得所述铁电电容元件分别处于所述第一和第二极化状态，所述另一电压的量值小于所述第一和第二电压的量值，并且不足以使得所述铁电电容元件处于所述第一和第二极化状态；所说的方法包括：加所说的第一电压跨接在所说的铁电电容元件上，使所说的铁电电容元件处于所说的第一状态；加所述另一电压跨接在所说的铁电电容元件上，使所说的铁电电容元件从所说的第一状态变成所说的另一状态；和测量所说的至少一个铁电电容元件所述第一状态与所述另一状态之间的极化变化；所说的至少一个存贮单元有开关元件，所说开关元件有第一，第二端和控制端，所说开关元件的所说第一端连接到所说铁电电容元件的第一端，所说的测量跨接在所说铁电电容元件上的极化变化的步骤包括，加一个第一信号给所说开关元件的所说控制端并测量所说开关元件的第二端的电压。