[发明专利]薄膜形成装置无效

专利信息
申请号: 91110723.1 申请日: 1991-11-08
公开(公告)号: CN1061444A 公开(公告)日: 1992-05-27
发明(设计)人: 伊藤弘基;梶田直幸 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: C23C14/32 分类号: C23C14/32;C23C16/48
代理公司: 上海专利事务所 代理人: 张恒康
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种薄膜形成装置,包括一真空室;从真空室抽去空气以向真空室提供真空的抽真空装置;和在真空室内生成沉淀物集结的熔炉。该薄膜形成装置进一步包括把熔炉生成的部分集结物予以电离的电离装置;加速由电离装置电离的集结物和未电离的集结物以使两者与真空室内的基片碰撞的加速装置;和滤去小于预定大小的集结物的过滤装置,该集结物系由电离装置电离。
搜索关键词: 薄膜 形成 装置
【主权项】:
1、薄膜形成装置包括:一真空室;从所述真空室抽去空气以向所述真空室提供真空的抽真空装置;在所述真空室内使沉淀物产生集结的集结物生成装置;把所述集结生成装置产生的部分集结物予以电离的电离装置;加速把所述电离装置电离的集结物和未电离的集结物两者均予以加速使与所述真空室内的基片碰撞的加速装置;和把小于预定大小的集结物予以滤去的过滤装置,该集结物系由所述电离装置电离的。
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