[实用新型]制备半导体单晶用的双层坩埚无效
| 申请号： | 91204133.1 | 申请日： | 1991-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN2087322U | 公开（公告）日： | 1991-10-23 |
| 发明（设计）人： | 王体虎;秦福;李英春 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | F27B14/10 | 分类号： | F27B14/10 |
| 代理公司： | 北京市第三专利代理事务所 | 代理人： | 母宗绪 |
| 地址： | 100088*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体生长用的双层坩埚，它由内、外坩埚组成，内坩埚环状壁为倒置的截圆锥筒状、截棱锥筒状其中的一种，内坩埚上口直径(指拉晶尚未进行时液面处的内坩埚直径)为外坩埚直径的内坩埚的接近双层坩埚底处的环状壁上至少有一个小孔，优点是能拉制出掺杂剂轴向分布均匀的的半导体晶体，且结构简单，易于制造，成本低，对半导体原料形状无特殊要求，便于拉晶时观察和操作。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 半导体 单晶用 双层 坩埚 | ||
【主权项】：
1、一种用于制备半导体单晶用的双层坩埚，由内坩埚和外坩埚所组成，内坩埚安放在外坩埚内，外坩埚的环状壁为直筒状，本实用新型的特征是，内坩埚的环状壁为上口大，下口小的倒置的截圆锥筒状、倒置的截棱锥筒状其中的一种，内坩埚上口直径(指拉晶尚未开始时的液面处内坩埚的直径)为外坩埚直径的B·倍(K为掺杂剂分配系数)，内坩埚下口直径为外坩埚直径的B·倍，其中A=1.1-1/，B=0.80～1.0，在内坩埚环状壁上接近双层坩埚的底处至少有一个小孔。
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