[实用新型]红外快速热处理设备无效
申请号: | 91219291.7 | 申请日: | 1991-08-02 |
公开(公告)号: | CN2106421U | 公开(公告)日: | 1992-06-03 |
发明(设计)人: | 钱佩信;侯东彦;陈必贤;林惠旺;李志坚 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324 |
代理公司: | 清华大学专利事务所 | 代理人: | 廖元秋 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 红外快速热处理设备,属于超大规模集成电路和半导体器件制造技术的工艺设备。本实用新型特征是由微机系统、红外热处理石英腔、悬臂传送片机构、双门过渡腔、自动取放片机构、高频感应加热源、测温与控温装置、气路及其控制等构成,微机自动控制半导体片的取放与传送、过渡腔双门的开闭、半导体片热处理温度和时间以及多路气体的流量从而实现自动快速热处理半导体片的目的,适用于集成电路和半导体器件的研制和工业化大生产。 | ||
搜索关键词: | 红外 快速 热处理 设备 | ||
【主权项】:
1、一种红外快速热处理设备,由红外热处理石英腔、与石英腔连通的气路及其控制装置、高频感应加热源、传送半导体片机构、测温与控温装置及微机控制系统等部分所组成,所说的红外热处理石英腔由矩型石英腔体、绕在石英腔体外的高频线圈,固定在石英腔体内的红外反射板,在反射板内的二块平行石墨板所构成,其特征在于还有一不同时开启的双门过渡腔,该过渡腔与所说的红外热处理石英腔的一端相连接,所说的气路与该过渡腔连通,还包括微机控制的自动取放片机构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造