[实用新型]一种钯栅场效应晶体管无效
| 申请号： | 91222970.5 | 申请日： | 1991-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN2107066U | 公开（公告）日： | 1992-06-10 |
| 发明（设计）人： | 徐永祥 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L23/00;H01L29/784;G01N27/12 |
| 代理公司： | 北京林业大学专利事务所 | 代理人： | 卢纪 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种钯栅MOS器件的结构，它在钯栅的周边有“钯层—粘结层—绝缘层”的牢固粘结结构，避免了钯层从栅区脱落，提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种钯栅MOS器件的结构，其特征在于，在器件的漏、源两区金属电极与栅区之间的绝缘层上粘附一种与绝缘层和钯层均能牢固粘着的粘结层，并使金属栅钯层的边缘扩展至此粘结层上，在栅外边缘形成钯层一粘结层一绝缘层的牢固粘结结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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