[发明专利]半导体记忆装置无效
| 申请号： | 92100194.0 | 申请日： | 1992-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN1067325A | 公开（公告）日： | 1992-12-23 |
| 发明（设计）人： | 金昌来 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明系提供一种半导体记忆装置，系由记忆单元、文字线、一对位元线、及自由充电手段所构成，其中更包含漏电流补偿电路，用以补偿与记忆单元连接的位元线的漏电流、及防止流入记忆单元的CMOS长周期电流，所用CMOS电晶体交叉结合，所构成的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 记忆 装置 | ||
【主权项】：
1、一种半导体记忆装置，具备有：复数的文字线与复数的位元线对；多数的记忆单元，系具有分别与前述文字线及位元线的各交点连接的锁存构造；自由充电手段，系连接于前述成对的位元线与电源之间，在读出或写入前，以一定电位，将位元线充电至同电位；及，漏电流补偿电路，用以补偿前述记忆单元的漏电流，其特征在于：前述漏电流补偿电路系插入电源与位元线对之间；且，由一对切换电晶体的各栅极端子连接于对方的漏极端子，所构成的。
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