[发明专利]半导体记忆装置无效

专利信息
申请号: 92100194.0 申请日: 1992-01-10
公开(公告)号: CN1067325A 公开(公告)日: 1992-12-23
发明(设计)人: 金昌来 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C11/34 分类号: G11C11/34
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人: 杜日新
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明系提供一种半导体记忆装置,系由记忆单元、文字线、一对位元线、及自由充电手段所构成,其中更包含漏电流补偿电路,用以补偿与记忆单元连接的位元线的漏电流、及防止流入记忆单元的CMOS长周期电流,所用CMOS电晶体交叉结合,所构成的。
搜索关键词: 半导体 记忆 装置
【主权项】:
1、一种半导体记忆装置,具备有:复数的文字线与复数的位元线对;多数的记忆单元,系具有分别与前述文字线及位元线的各交点连接的锁存构造;自由充电手段,系连接于前述成对的位元线与电源之间,在读出或写入前,以一定电位,将位元线充电至同电位;及,漏电流补偿电路,用以补偿前述记忆单元的漏电流,其特征在于:前述漏电流补偿电路系插入电源与位元线对之间;且,由一对切换电晶体的各栅极端子连接于对方的漏极端子,所构成的。
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