[发明专利]半导体记忆装置无效
申请号: | 92100194.0 | 申请日: | 1992-01-10 |
公开(公告)号: | CN1067325A | 公开(公告)日: | 1992-12-23 |
发明(设计)人: | 金昌来 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C11/34 | 分类号: | G11C11/34 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 杜日新 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明系提供一种半导体记忆装置,系由记忆单元、文字线、一对位元线、及自由充电手段所构成,其中更包含漏电流补偿电路,用以补偿与记忆单元连接的位元线的漏电流、及防止流入记忆单元的CMOS长周期电流,所用CMOS电晶体交叉结合,所构成的。 | ||
搜索关键词: | 半导体 记忆 装置 | ||
【主权项】:
1、一种半导体记忆装置,具备有:复数的文字线与复数的位元线对;多数的记忆单元,系具有分别与前述文字线及位元线的各交点连接的锁存构造;自由充电手段,系连接于前述成对的位元线与电源之间,在读出或写入前,以一定电位,将位元线充电至同电位;及,漏电流补偿电路,用以补偿前述记忆单元的漏电流,其特征在于:前述漏电流补偿电路系插入电源与位元线对之间;且,由一对切换电晶体的各栅极端子连接于对方的漏极端子,所构成的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/92100194.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:形成光稳定的全息图的方法
- 下一篇:化妆品