[发明专利]半导体热件的制造方法

摘要

一种半导体热件的制造方法。用锡、镁、钛、铁、锑、铬、硼的卤化物以及正硅酸乙酯、碳酸铅、氟化铵为原料配制成的饱和溶液，在高温炉内雾化扩散，使其沉积在净化好的耐温绝缘基体上成为面辐射面，后经老化，涂布绝缘及安装引线而成。半导体的面辐射层有很好的透光性、化学及热稳定性，在交、直流电场下均有电热转换效应，在800℃以下可以长期使用。

主权项

1.一种半导体热件的制造方法，是在高温下，以锡、锑卤化物为主的溶液喷溅雾化，沉积在耐热绝缘基体上，并在高温下进行热处理，而后进行电老化、热老化和接线，本发明的特征在于基体在喷溅雾化前需要正硅酸乙酯的乙醇溶液进行喷涂，在200～400℃下固化；然后再于300～800℃下进行扩散源的喷溅处理，扩散源所用原料配比为：卤化锡(SnXn，X＝Cl，Br；n＝2，4)60.0～99.0％卤化镁(MgX2，X＝Cl，Br)0.0～2.0％卤化钛(TiXn，X＝Cl，Br；n＝2，4)0.0～2.0％卤化铁(FeX2，X＝Cl，Br)0.0～2.0％卤化锑(SbXnX＝Cl，Br；n＝3，4)0.0～2.0％卤化硼(BX3，X＝Cl，Br)0.0～2.0％卤化铬(CrX3，X＝Cl，Br)0.0～2.0％碳酸铅PbCO30.0～10.0％氟化铵NH4F0.0～10.0％配制时用40～70％的无水乙醇、浓度为30％的盐酸和浓度为30～45％的氢氟酸制成的混合溶剂溶解上述组份，必要时加入少量王水。