[发明专利]在大高宽比孔径中淀积导体的方法无效
| 申请号： | 92101844.4 | 申请日： | 1992-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN1033175C | 公开（公告）日： | 1996-10-30 |
| 发明（设计）人： | 派-英·P·李;托马斯·J·利卡泰;托马斯·L·麦克德维特;保罗·C·帕里斯;斯科特·L·彭宁顿;詹姆斯·G·瑞安;戴维·C·斯特里普 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H05K3/16 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 邹光新 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用导电材料镀复大高宽比孔径的溅射淀积使导电镀复膜具有低体电阻率、低杂质含量和规整的组织结构。使用了一个其开口的高宽比与孔径的高宽比相近的准直器。在孔径底部得到的膜的厚度至少是常规溅射方法得到的孔径底部膜的厚度的二倍。 | ||
| 搜索关键词： | 大高宽 孔径 中淀积 导体 方法 | ||
【主权项】：
1.在基片上淀积一层导电材料的方法，该基片的外形表面包括至少一个高宽比至少为1∶1的凹坑，所述方法的特征在于：在淀积到所述的基片上以前，所述导电材料的原子通过一个高宽比约为1∶1或更大一些的堆直器。
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