[发明专利]干刻方法及其应用无效
| 申请号： | 92102953.5 | 申请日： | 1992-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN1036868C | 公开（公告）日： | 1997-12-31 |
| 发明（设计）人： | 小枝胜;大野哲也 | 申请（专利权）人： | 株式会社岛津制作所 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨丽琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种干刻衬底表面的方法，其等离子体是下列气体的混合气体，(I)对衬底材料活性的气体，(II)惰性气体。衬底和活性气体离子间的反应生成物在衬底上的堆积由于惰性气体等离子体的离子而使它有效地去除，因此衬底的刻蚀速度未被降低。碳化硅SiC是本发明的等离子体刻蚀最适宜的对象，因为它难于用常规的干刻方法刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种用源气体的等离子体进行等离子体刻蚀衬底表面的方法，它包括以下的工艺步骤：(1)在衬底上形成阻蚀层；(2)在上述形成有阻蚀层的衬底上覆盖上一种带有掩膜图案层的硬掩膜层，并用紫外线进行照射；(3)将经过照射的曝光部分用显影液除去，从而在衬底上形成阻蚀图形；(4)采用下述混合气体作为源气体，以其离子束对上述形成有阻蚀图形的衬底进行照射，所述气体混合物包括：i)对衬底物质呈活性的CF4或CHF3气，和ii)氩气，而且，其混合比分别为CF4∶Ar＝70∶30至10∶90，CHF3∶Ar＝50∶50至10∶90，(5)用O2等离子体将上述阻蚀图形层灰化除去，由此形成刻蚀的衬底。
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