[发明专利]激光二极管无效
| 申请号： | 92103575.6 | 申请日： | 1992-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN1097317C | 公开（公告）日： | 2002-12-25 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔Ａ·海斯;郑骅;詹姆斯Ｍ·迪鲁特;邱钧 | 申请（专利权）人： | 明尼苏达州采矿制造公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S3/19 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杨国旭 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种II-VI化合物半导体激光二极管(10)是通过叠加多层材料而形成的。材料包括N型单晶半导体衬底(12)；相邻的N型和P型II-VI半导体光导层(14和16)所形成的PN结；光导层(14和16)之间的II-VI半导体的量子阱激活层(18)；第一电极(32)，其中所述衬底(12)位于N型光导层(14)和所述第一电极(32)之间；以及第二电极(30)，其中所述P型光导层(16)位于N型光导层(14)和所述第二电极(30)之间。 | ||
| 搜索关键词： | 激光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种II-VI化合物半导体激光二极管，由重叠的材料层形成，其中包括：第一导电类型的II-VI半导体第一光导层(14)；相邻第一光导层(14)的第二导电类型的II-VI半导体第二光导层(16)，第一光导层(14)和第二光导层(16)形成一个Pn结；在第一和第二光导层(14，16)之间的II-VI半导体的量子阱激活层(18)；第一导电类型的单晶半导体衬底(12)，第一光导层(14)位于所述单晶半导体衬底(12)和第二光导层(16)之间；第一电极(32)，其中所述衬底(12)位于第一光导层(14)和所述第一电极(32)之间；以及第二电极(30)，其中所述第二光导层(16)位于第一光导层(14)和所述第二电极(30)之间。
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