[发明专利]金属双晶及三晶体的生长技术和装置无效
| 申请号： | 92104638.3 | 申请日： | 1992-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN1025633C | 公开（公告）日： | 1994-08-10 |
| 发明（设计）人： | 蔡民;吴希俊;李光海 | 申请（专利权）人： | 中国科学院固体物理研究所 |
| 主分类号： | C30B11/02 | 分类号： | C30B11/02;C30B29/02 |
| 代理公司： | 中国科学院合肥专利事务所 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 230031*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明金属双晶及三晶体的生长技术和装置。本发明是一种Bridgmen方法生长金属双晶和三晶的技术和装置包括原料制备，晶体生长及退火，使用5N原料，清洗处理后杂质含量低于100PPM，退火温度为800～1000℃，时间10～12小时，其特征在于生长时坩埚不动只移动温场，温场的纵向温度递度15～20％/cm，移动速度为0.5～2毫米/分钟。实施本发明所用装置包括传动机构，控温机构，保温机构及坩埚。其特征在于所用坩埚是由不同功用结构件组合而成。具有使用方便，寿命长，仔晶和晶体易于装卸、双晶和三晶的晶体学参数易于控制等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 双晶 晶体 生长 技术 装置 | ||
【主权项】：
1.一种Bridgman方法制备金属双晶或三晶的技术，包括原料处理，特种形状的坩埚设计，籽晶制备和退火，以及双晶或三晶生长，其中使用5N原料，清洗后杂质含量低于100ppm，其特征在于：a.严格选择籽晶，精确设定晶界取向；b.在低温长时间(24～72小时)对籽晶进行退火处理，然后升温至熔点附近，再在接近晶体熔点的高温区退火处理；c.用酸或碱溶液剥去籽晶外的氧化层，再用乙醇或丙酮清洗，最后用去离子水处理；d.双晶或三晶生长时坩埚不动，在生长温度时只移动温场，温场纵向温度为15～20度/厘米，移动速度为0.5～5毫米/分种。
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