[发明专利]截球形基质镀膜的装置和设备无效
申请号: | 92104777.0 | 申请日: | 1992-06-19 |
公开(公告)号: | CN1031146C | 公开(公告)日: | 1996-02-28 |
发明(设计)人: | H·-W·埃茨科恩;H·克吕梅尔;G·魏德曼;V·帕凯 | 申请(专利权)人: | 肖特玻璃制造厂 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/50 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 李恩泰,林道棠 |
地址: | 联邦德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 为以低成本方式同时对若干个截球体进行高质量镀膜,在一个截球体镀膜台内设有若干个镀膜室,它们经对称式气体管道系统与一个共用气体发生器相连,并经另一气体管道系统与一个共用真空泵相连。气体管道的横截面面积QA(x)和横截面形状QF(x)在距气体发生器和真空泵的距离x处基本相同。所有的镀膜室可保证有相同的流动比率。气体管道系统可用精密管制成,或由一叠内有钻孔或铣槽形成气道的实心板构成。若干个截球体镀膜台构成一台设备。 | ||
搜索关键词: | 截球 基质 镀膜 装置 设备 | ||
【主权项】:
1.对带有介电膜系的截球形基质内表面,特别是带有冷光型镜面膜的反射器内表面镀膜的装置,包括一个镀膜室,该镀膜室由截球形基质和与该基质组合在边缘上并形成气密式连接的承受器部分所限定,一条进气通道和一条排气通道汇入承受器部分,该部分有一个具有一个或者若干通道的、用于限制待反应气体层的挤压体,该装置还包括在待反应气体层中激发等离子体区的设备,本发明的特征是,至少有两个镀膜室(12a、12b、12c、12d)并列构成一个截球体镀膜台(1),该截球体镀膜台通过气体管道和一台由全部镀膜室(12a-d)所共用的气体发生器(146)和一台共用的真空泵(90)相连接,其中气体管道各形成一个对称式气体管道系统(175,95),与距气体发生器(148)和真空泵(90)的距离(x)相关的各气体管道的横截面面积QA(x)和横截面形状QF(x)基本相同。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的