[发明专利]Δ-掺杂量子阱场效应晶体管的制作方法无效
| 申请号： | 92105604.4 | 申请日： | 1992-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN1025091C | 公开（公告）日： | 1994-06-15 |
| 发明（设计）人： | 丁润夏;郑东皓;张景植 | 申请（专利权）人： | 浦项综合制铁株式会社;产业科学技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L21/337 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 姜华 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制作Δ-掺杂量子阱场效应晶体管的工艺方法，该晶体管包括一基片、超晶格、缓冲层、量子阱、覆盖层以及欧姆接触层。在欧姆层上形成漏极、源极和栅极。各量子阱均按下述方式形成用有机金属化学汽相淀积工艺在低反应压力下形成第一GaAs层；然后将Si杂质，如SiH4或Si2H6呈Δ-掺杂掺入层内，再用相同的淀积工艺，在同样条件下形成第二CaAs层，从而形成本发明的CaAs/AlGaAsΔ-掺杂量子阱场效应晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 量子 场效应 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作Δ-掺杂量子阱场效应晶体管的工艺方法，包括：依次形成基片、超晶格、缓冲层、量子阱、覆盖层以及欧姆层等各工艺步骤，以及在所述覆盖屋上和在所述欧姆层上，用金属化和剥离工艺形成源极、漏极以及栅极等各工艺步骤，所说的量子阱的形成步骤进一步包括：将三甲基镓和胂引入一反应腔内的步骤；通过使用有机化学汽相淀积工艺形成一个第一GaAs量子阱的步骤；将Si杂质掺入所述第一量子阱的步骤；以及将三甲基镓和胂引入所说的反应腔内，在与形成所述第一量子阱时相同的条件下，形成一个第二量子阱的步骤。
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