[发明专利]一种具有双负阻特性的负阻器件

摘要

本发明提出并研制成一种具有双负阻特性的复合式三端半导体负阻器件，该器件由一横向pnp双极管、-n沟耗尽型MOS管和电阻Rc通过适当方式相互联接而成。该器件具有(1)电压控制型和电流控制型双负阻特性；(2)正阻区和负阻区值都便于控制；(3)制造工艺易与CMOS工艺相容等优点。在0.1～10MHz频率范围内，它可以分立器件形式或作为集成电路的一部分，构成振荡器、单稳电路、双稳电路、逆变器、开关电路。

主权项

1，一种复合式三端负阻器件，其特征在于：它是由一n沟耗尽型MOS管，一PnP型双极管和该双极管集电极串联电阻Rc集成而得，其中MOS管的栅极通过电阻Rc与PnP双极管集电极相连，MOS管的漏极与PnP双极管基极相连，MOS管的源极，PnP双极管发射极和MOS管的栅极分别为负阻器件的基极，发射极和集电极。