[发明专利]一种复合功能晶体掺镥四硼酸铝钇钕生长工艺无效
| 申请号： | 92106554.X | 申请日： | 1992-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN1026804C | 公开（公告）日： | 1994-11-30 |
| 发明（设计）人： | 王璞;潘恒福;薛旗;陆宝生 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B9/12 | 分类号： | C30B9/12;C30B29/22 |
| 代理公司： | 山东大学专利事务所 | 代理人： | 刘旭东 |
| 地址： | 250100 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种复合功能晶体掺镥四硼酸铝钇钕生长工艺，属于盐溶液冷却法生长晶体的技术领域、用K2Mo3O10作助熔剂Nd2O3，Y2O3，Al2O3，B2O3为原料，另加一种Lu2O3在高温炉中进行降温生长，所有原料均按生长反应式的化学计量比下料，反应式xNd3O3+yLu2O3+(1-x-y)Y2O3+3Al2O3+4B2Oa→2NdxLuyY1-x-yAl3(BO3)4。采用本工艺生长出的掺镥NYAB晶体在光学均匀性和激光性能方面均优于NYAB晶体且本工艺简单易于生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 功能 晶体 掺镥四 硼酸 铝钇钕 生长 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种复合功能晶体掺镥四硼酸铝钇钕生长工艺，用K2Mo3O10作助溶剂，助溶剂占全部重量的75-85％，用Nd2O3、A12O3、Y2O3、B2O3作为原料，在高温炉中进行降温生长，生长温度、降温区间同NYAB的参数，其特征在于，在原料中再掺杂一种Lu2O3原料，其组成为NdxLuyY1-x-yAl3(BO3)4，所有原料均按晶体生长反应式的化学计量比下料，其中Nd3+和Lu3+的比量应分别控制在：Nd3+(x)：0.02-0.15Lu3+(y)：0.02-0.20
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